IGBT (insulated-gate bipolar transistor) — модели, которые объединяют все преимущества MOSFET, в частности, высокое входное сопротивление с плюсами биполярного транзистора и привода. Свойства модуляции проводимости делают его идеальным для управления нагрузкой, где требуется серьезное напряжение пробоя, а также значительная сила тока. Сейчас потребителям доступно семейство быстро переключаемых изолированных моделей, которые имеют низкий уровень инжекции носителей, а также рекомбинации в них.
Плюсы IGBT модулей:
Низкий вольтаж включения по сравнению с BJT;
Значительное снижение потерь при переключении;
Уменьшенные потери проводимости;
Простота управления затвором;
Способность к пиковым нагрузкам;
Прочность;
Более быстрое переключение, в сравнении с BJT.
Типовые неисправности:
Существует три основные причины отказа IGBT, которые могут спровоцировать появление высокого напряжения на оптической развязке и вызвать разрушение изоляционного барьера:
Десатурация (выход из насыщения) IGBT
Скачок напряжения коллектор-эмиттер
Ложное отпирание транзистора из-за наличия емкости Миллера в структуре IGBT
Выводы:
Ремонт IGBT модуля возможен, но не гарантирует его работоспособность.
ООО "Архангельский электроцех" рекомендует устанавливать новые модули. Мы можем поставить вам IGBT модули от проверенных производителей!
Оставить заявку:
📞 +7(921)085-55-40
📩 arh-29@inbox.ru